SJ 50033.66-1995 半导体分立器件.3DD880型低频大功率晶体管详细规范
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.43 |
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10 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/66-1995,半导体分立器件,3DD880型低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DD880,low - frequency and high-power transistor,1995-05-25 发布1995^12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DD880型低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DD880,low-frequency and high，power transistor,SJ 50033/66-1995,1范围,1.I 主题內容,本规范规定了 3DD880型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研究、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB.33《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级,用字母,GP表示,2引用文件,GB 4587- 84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB128—86 半导体分立器件试脸方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铜。引出端表面应为锡层或镇层,中华人民共和国电子工业部!995-05-25发布1995-12-01 实施,SJ 50033/66-1995,3.2.2 器件结构,采用扩散台面或外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的F3 - 03A型及如下的规定。见图lo,图1 3DD880外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3I 最大额定值,—2 —,-SJ 50033/66-1995,型 号,P 1),rW,Tc = 25C,(W),p 2),r tot,ら=25匕,(W),VcBO,(V),Veto,(V),VebO,(V) (A),事,Ct),%,Ct),3DD880 30 1.5 60 60 I 7.0 3.0 150 -55-150,注:1）Tc>25C时按0.24W/t的速率线性地降额,2）ム>25匕时按12mW/t的速率线性地降额,3.3.2主要电特性（丁ん=25じ）,や限值,型号\,んFE,y w,f c =。,5A,FeEsfit,/c = 3A,30.3A,(V),Vbe,"5V,/c = 0.5A,(V),/t,35V,30.5A,尸 1.0MHz,(MHz),fc = 2A,［風上 一］施テ,-0.2A,（附）,R (成ンJ - q,Vce=10V,c = 0/A,25 匕 4 Tc く 75 七,(V/W),最大值最大值最小值最大值最大值,3DD880 6〇.300 1.0 1.0 3.0 0.8 4.1,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检験,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 质量一致性检验,质量一致性检&应按GJB 33的规定,4.3.1 A组检验,A组楂睑应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.3.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.3.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.4 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定:,4.4.I 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定,3,SJ 50033/66-1995,表1 A组检验,检验或试験,GB 4587,LTPD 符 号,极限值,单位,方 法条 件最小值最大值,Al分组,外观及机械检照,GJB 128,2071,5,A2分组,集电极ー发射极,击穿电压,发射极一基极,击穿电压,集电极一基极,截止电流,集电极ー发射极,粮止电流,集电极一发射极,饱和电压,集极ー发射极,电压,正向电施传输比,本规范,附录A,2.922,2.1,2.14,2.3,2,5,2.8,发射极一基极开路f,/c- 2.0mA,集电极一基板并路;,ん=1mA,发射极一基极开路1,%b = 60V,发射板一基板开路;,Vce = 30V,33A,Ib = 0.3A,脉冲法（见4.51）,Vc15V,ft = 0.5A,脉冲法（见4.51）,Vce = 5V,Ic = 0.5A,脉冲法（见4.5.1）,5,匕 BJUEBO,JcBOl,『CTO,ドgt,んFEI,60,7,60,100,200,1,1,300,V,V,限,田,V,V,A3分组,高温工作;,集电极一基极,截止电流,低温工作:,正向电流传输比,2.1,2.8,TA=100i5C,发射械一基极开路テ,3 42 V,Ta= -55X：,Vce-5V,/c = 0,5A,脉冲法（见4.5」）,5,『CBOZ,ん FE<> 30,1 mA,A4分组,特征频率,下降时间,2.11.2,附录A,A4,Vce = SV,Ic = 0+5Af……
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